半导体封测产业正在经历一场力度空前的产能扩张浪潮。
近日，通富微电（002156）（002156.SZ）关于向特定对象发行股票的申请获得了中国证券监督管理委员会同意注册批复。该公司拟募资42.2亿元，加码存储芯片、汽车电子、晶圆级封测、高性能计算及通信等领域封测产能。
2026年刚刚过半，国内半导体封测企业扩产投资总额已接近400亿元。
不仅长电科技（600584）（600584.SH）、通富微电、华天科技（002185）（002185.SZ）半导体封测三巨头集体扩产，甬矽电子（688362.SH）更是两度扩产，此外盛合晶微（688820.SH）、深科技（000021）（000021.SZ）等封测厂商也启动了扩产计划。
存储芯片封装成扩产引擎
从扩产方向来看，存储芯片封测是国内企业扩产的“主阵地”。
今年以来，通富微电、华天科技与深科技竞相扩充存储芯片封测产能：通富微电拟将8.88亿元投向存储芯片封测产能提升项目，华天科技控股子公司拟将30亿元投向存储集成电路封装测试，深科技子公司也拟投资14.7亿元扩大高端存储芯片封测产能。
其中，通富微电扩产主要针对FLASH、DRAM存储产品，深科技主要投向UFS（通用闪存存储）、DDR测试等。
产能方面，华天科技扩产项目建成投产后预计年封装测试存储集成电路约4.3亿只；通富微电预计项目建成后年新增存储芯片封测产能84.96万片；深科技扩产项目建成达产后，深圳沛顿预计每月增加封装产能500万颗晶粒及测试产能800万颗芯片，合肥沛顿存储预计每月增加封装产能2880万颗晶粒。
龙头企业密集扩产背后，存储封测的需求确定性正持续攀升。
国内市场方面，通富微电高管在6月接受调研时指出，随着下游应用领域对高带宽、高容量、高可靠性存储的需求快速上升，国内市场形成了稳定且持续扩大的“增量+自主创新”空间。以长江存储、长鑫存储为代表的本土企业在堆叠层数、制程节点等领域持续突破，具备了在重点应用领域实现规模化自主创新的技术与产业基础。加快建设和提升面向存储芯片的本土封测产能，已成为保障国产存储芯片稳定供给的关键一环。
国际市场方面，长电科技近日在投资者关系活动中表示，本轮存储上量势头强劲，预计持续时间较长。面向国际客户，存储价格持续上涨，客户尚处于享受价格红利阶段，提高产出意愿不高，短期对封装产能的需求变化不大。“但我们判断，随着价格逐步趋稳，国际客户对封装的需求将显著增加，封装产能扩充势在必行。”
除了存储，AI算力和汽车电子也是此轮封测扩产的重点。
如通富微电拟投资11亿元提升汽车等新兴应用领域封测产能，项目建成后年新增汽车等新兴应用领域封测产能5.04亿块；并拟投资7.24亿元用于提升高性能计算及通信领域封测产能，项目建成后年新增相关封测产能合计4.8亿块。
押注先进封装
从技术方向看，2026年的新增产能大部分投向了以2.5D/3D、晶圆级封装（WLP）为代表的先进封装技术。
2.5D/3D封装是此轮扩产投资强度最大的技术方向：盛合晶微拟投资100亿元建设的东盛合芯三维集成芯片制造（一期）项目已于近日开工，直指3DIC规模量产；甬矽电子扩产项目亦明确布局2.5D产品线。
重金押注的背后，是AI爆发对算力的渴求与摩尔定律放缓之间的深刻矛盾。当先进制程迭代逼近物理极限，高算力芯片在前段晶圆制造之外，亟需创新路径实现性能的持续跃升。
以三维芯片集成（2.5D/3DIC）为代表的芯粒多芯片集成封装应运而生。它能够突破单芯片1倍光罩的尺寸限制，在2倍、3倍光罩甚至更大尺寸范围内，实现数百亿甚至上千亿个晶体管的异构集成。
盛合晶微表示，3DIC技术路径可为客户提供更高的设计灵活性，是支撑高性能芯片异构集成与系统扩展的关键技术之一。“前瞻规划布局规模量产能力，有利于公司在后摩尔时代与客户紧密合作，满足高算力、高带宽、低功耗等全面性能提升对先进封装的综合性需求，抢抓先进封装市场发展机遇。”
要实现2.5D/3D封装，凸块制造等中段工艺是必不可少的“桥梁”。因此，甬矽电子此轮扩产项目还包含了BUMP产品线。
此外，晶圆级封装也是扩产重点：作为先进封装的重要技术方向，晶圆级封装目前已应用于AI芯片、CPU、GPU、存储芯片、智能主控芯片、通信芯片、电源管理芯片等诸多核心领域。
如通富微电计划投资7.43亿元提升晶圆级封测等产能，将新增晶圆级封测产能31.2万片。该公司表示，此次加强晶圆级封装能力建设，有助于其构建长期支撑先进计算、高速接口、小型器件封装需求的技术优势。
国泰海通证券研报指出，过去，芯片性能提升一直沿着摩尔定律进行，当前随着芯片制程微缩的边际成本的持续提升，先进封装成为未来提升芯片性能的重要途径。此外，国内华为提出的韬定律也是瞄准堆叠等先进封装方式来提升芯片性能。随着盛合晶微等先进封装大厂上市，预计国内先进封装建设的资本支出将持续增长。
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